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NTH4L075N065SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 38 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L075N065SC1
No. Parte Newark47AK6051
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L075N065SC1
No. Parte Newark47AK6051
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id38
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.057
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia148
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
38
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.057
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
148
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto