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NTHL020N090SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTHL020N090SC1
No. Parte Newark91AH8482
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
90 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $23.780 |
| 5+ | $23.780 |
| 10+ | $20.610 |
| 25+ | $20.180 |
| 50+ | $19.750 |
| 100+ | $19.330 |
| 250+ | $18.900 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTHL020N090SC1
No. Parte Newark91AH8482
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id118
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7
Disipación de Potencia503
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
118
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Disipación de Potencia
503
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto