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NTHL160N120SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 17 A, 1.2 kV, 0.162 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTHL160N120SC1
No. Parte Newark91AH8489
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTHL160N120SC1
No. Parte Newark91AH8489
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id17A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.162ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.1V
Disipación de Potencia119W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
17A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.162ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.1V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
119W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto