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NTJD5121NT1G
MOSFET Dual, Canal N, 60 V, 60 V, 304 mA, 304 mA, 1 ohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTJD5121NT1G
No. Parte Newark08R3934
Rango de ProductoSerie NTJD5121N
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTJD5121NT1G
No. Parte Newark08R3934
Rango de ProductoSerie NTJD5121N
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Intensidad Drenador Continua Id295mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N304
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P304
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente1
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N266
Disipación de Potencia de Canal P266
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoSerie NTJD5121N
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
295mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
304
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
1
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
266
Rango de Producto
Serie NTJD5121N
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
304
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
266
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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