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NTMFS4C10NT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 46 A, 0.00695 ohm, DFN, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS4C10NT1G
No. Parte Newark45Y4123
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id46
Resistencia de Activación Rds(on)0.0058ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00695
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd23.6W
Diseño de TransistorDFN
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2
Disipación de Potencia23.6
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0058ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
23.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2
No. de Pines
5Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
46
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00695
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
DFN
Disipación de Potencia
23.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto