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NVF3055L108T1G.
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVF3055L108T1G.
No. Parte Newark28AC0247
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id3
Resistencia de Activación Rds(on)0.092ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.12
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Disipación de Potencia Pd2.1W
Diseño de TransistorSOT-223
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.68
Disipación de Potencia2.1
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.092ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
2.1W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.68
No. de Pines
4Pines
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.12
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia
2.1
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto