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NVHL080N120SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 44 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVHL080N120SC1
No. Parte Newark99AC9420
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
2,066 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $21.100 |
| 10+ | $16.280 |
| 25+ | $16.040 |
| 50+ | $15.800 |
| 100+ | $15.570 |
| 250+ | $15.330 |
| 900+ | $15.090 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVHL080N120SC1
No. Parte Newark99AC9420
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id44
Resistencia de Activación Rds(on)0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia348
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
NVHL080N120SC1 is a silicon carbide (SiC) MOSFET. Typical applications are automotive on board charger, automotive DC-DC converter for EV/HEV.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- 100% UIL tested
- Low effective output capacitance (typ. Coss= 80pF)
- Drain-to-source voltage is 1200V at TJ = 25°C
- Continuous drain current RJC is 31A at TC = 25°C
- Power dissipation RJC is 89W at TC = 100°C
- Single pulse surge drain current capability is 132A at TA = 25°C, tp = 10µs, RG = 4.7ohm
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- TO247-3L package
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Tipo de Canal
Canal N
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08
No. de Pines
3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
348
Rango de Producto
EliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
44
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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