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NVJD5121NT1G
MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 60V, SOT-363
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVJD5121NT1G
No. Parte Newark13AC3922
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id295mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N295
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P295
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente1
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N250
Disipación de Potencia de Canal P250
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
295
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
1
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
250
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
295mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
295
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
250
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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