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NXH350N100H4Q2F2S1G
Módulo IGBT, Paquete de cuatro, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Module
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH350N100H4Q2F2S1G
No. Parte Newark29AK2762
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $173.080 |
| 5+ | $167.930 |
| 10+ | $162.790 |
| 25+ | $157.630 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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$173.08
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH350N100H4Q2F2S1G
No. Parte Newark29AK2762
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTFour Pack
Corriente del Colector Continua303A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.63V
Disipación de Potencia592W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTSolder
Voltaje Máx. Colector a Emisor1kV
Tecnología IGBTIGBT [Trench/Field Stop]
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Four Pack
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.63V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Terminación del IGBT
Solder
Tecnología IGBT
IGBT [Trench/Field Stop]
Rango de Producto
EliteSiC Series
Corriente del Colector Continua
303A
Disipación de Potencia
592W
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto