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PN2907ATF
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricantePN2907ATF
No. Parte Newark31Y3455
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor60V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo60V
Corriente de Colector Continua800mA
Corriente de Colector DC800mA
Disipación de Potencia Pd625mW
Disipación de Potencia625mW
Diseño de TransistorTO-226AA
Montaje de TransistorThrough Hole
Ganancia de Corriente DC hFE50hFE
Núm. de Contactos3Pines
Frecuencia de Transición200MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.50hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
60V
Corriente de Colector DC
800mA
Disipación de Potencia
625mW
Montaje de Transistor
Through Hole
Núm. de Contactos
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
50hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60V
Corriente de Colector Continua
800mA
Disipación de Potencia Pd
625mW
Diseño de Transistor
TO-226AA
Ganancia de Corriente DC hFE
50hFE
Frecuencia de Transición
200MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza PN2907ATF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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