Imprimir página
BSM400D12P2G003
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 400A, MODULE
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
4 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2,301.440 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2,301.44
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteBSM400D12P2G003
No. Parte Newark88AH6168
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalDual N Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id400A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente-
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorModule
No. de Pines-
Voltaje de Prueba Rds(on)-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia2.45kW
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
BSM400D12P2G003 is a SiC power module. This product is a half bridge module consisting of SiC-DMOSFET and SiC-SBD. Application includes motor drive, inverter, converter, photovoltaics, wind power generation, induction heating equipment.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 2.3V on-state static drain-source voltage (typ, Tj=25°C, ID=400A, VGS=18V)
- 397A drain current (DC(Tc=60°C) VGS=18V)
- 4mA drain cut-off current (max, VDS=1200V, VGS=0V, Tj=25°C)
- 1.8V source-drain voltage (typ, VGS=0V, IS=400A, Tj=25°C)
- 38nF input capacitance (typ, VDS=10V, VGS=0V,200KHz, Tj=25°C)
- 2500Vrms isolation voltage (terminals to baseplate f = 60Hz AC 1 min, Tj = 25°C)
- Junction temperature range from -40 to 150°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
Dual N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
400A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
-
Disipación de Potencia
2.45kW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto