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BSM400D12P3G002
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 400A, MODULE
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteBSM400D12P3G002
No. Parte Newark88AH6169
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETMedio Puente
Tipo de CanalDoble Canal N
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id400A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente-
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorModule
No. de Pines-
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia1.57kW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Medio Puente
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
-
Voltaje de Prueba Rds(on)
-
Disipación de Potencia
1.57kW
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
Doble Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
400A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
Module
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto