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R6006JNXC7G
MOSFET, N-CH, 6A, 600V, TO-220FM
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| Cantidad | Precio en USD |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteR6006JNXC7G
No. Parte Newark01AH7804
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.936ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220FM
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)15V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6V
Disipación de Potencia43W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.936ohm
Diseño de Transistor
TO-220FM
Voltaje de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
43W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
6A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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