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RE1C002UNTCL
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-416FL, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRE1C002UNTCL
No. Parte Newark82AC3029
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id200
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.2ohm
Diseño de TransistorSOT-416FL
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)2.5
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-416FL
Voltaje de Prueba Rds(on)
2.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.2ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza RE1C002UNTCL
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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