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SCT3060ALHRC11
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 39 A, 650 V, 0.06 ohm, TO-247N
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| 50+ | $17.610 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT3060ALHRC11
No. Parte Newark02AH4684
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id39
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Diseño de TransistorTO-247N
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia165
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
165
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
39
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247N
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SCT3060ALHRC11
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
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