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SCT3120ALGC11
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 21 A, 650 V, 0.12 ohm, TO-247N
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT3120ALGC11
No. Parte Newark05AC9466
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $9.980 |
| 10+ | $7.790 |
| 25+ | $7.370 |
| 60+ | $7.040 |
| 120+ | $6.750 |
| 270+ | $6.420 |
| 510+ | $6.310 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT3120ALGC11
No. Parte Newark05AC9466
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id21
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.12
Diseño de TransistorTO-247N
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia103
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.12
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Disipación de Potencia
103
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
21
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247N
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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