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SKM 100 GB 176 DN
Módulo IGBT, 130 A, 2.45 V, 150 °C, SEMITRANS 2
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FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM 100 GB 176 DN
No. Parte Newark88K1185
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 26 semana(s)
Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM 100 GB 176 DN
No. Parte Newark88K1185
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBT-
Transistor, PolaridadCanal N
Corriente de Colector DC130A
Corriente del Colector Continua130A
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.45V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.7kV
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.7kV
Diseño de TransistorSEMITRANS 2
No. de Pines7Pines
Terminación del IGBTPerno
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.7kV
Tecnología IGBTNPT IGBT [ultrarrápido]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
-
Corriente de Colector DC
130A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.45V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.7kV
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.7kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente del Colector Continua
130A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.7kV
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Diseño de Transistor
SEMITRANS 2
Terminación del IGBT
Perno
Tecnología IGBT
NPT IGBT [ultrarrápido]
Rango de Producto
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
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Certificado de conformidad del producto