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SKM100GB12V
Módulo IGBT, Medio Puente, 159 A, 1.75 V, 175 °C, Module
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FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM100GB12VCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante25 semanas
No. Parte Newark77R2546
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 25 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 8+ | $102.470 |
| 16+ | $89.690 |
| 24+ | $89.680 |
| 40+ | $89.670 |
| 80+ | $88.080 |
| 200+ | $87.550 |
| 400+ | $87.020 |
| 800+ | $86.490 |
Precio para:Cada
Mínimo: 8
Múltiple: 8
$819.76
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM100GB12VCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante25 semanas
No. Parte Newark77R2546
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N Dual
Configuración IGBTMedio Puente
Corriente de Colector DC159A
Corriente del Colector Continua159A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.75V
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.75V
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Temperatura de Union, Tj Máx.175°C
Diseño de TransistorModule
No. de Pines7Pines
Terminación del IGBTPerno
Tecnología IGBTV-IGBT
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Resumen del producto
El SKM100GB12V es un módulo SEMITRANS® 2 IGBT para su uso con variadores de CA y soldadores electrónicos. Cuenta con placa base de cobre aislada que utiliza tecnología DBC (Enlace Directo de Cobre) y una mayor capacidad de ciclo de energía.
- Interruptor de medio puente
- V-IGBT = Trench V-IGBT de 6ª generación (Fuji)
- CAL4 = diodo de conmutación suave de 4ª generación
- Resistencia de Compuerta Integrada
- Pérdidas de conmutación más bajas en di/dt alto
- Reconocido por UL ,archivo E63532
Aplicaciones
Administración de Potencia, Reparación y Mantenimiento
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N Dual
Corriente de Colector DC
159A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.75V
Disipación de Potencia
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Temperatura de Union, Tj Máx.
175°C
No. de Pines
7Pines
Tecnología IGBT
V-IGBT
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Configuración IGBT
Medio Puente
Corriente del Colector Continua
159A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.75V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Diseño de Transistor
Module
Terminación del IGBT
Perno
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto