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SKM200GB12V
Módulo IGBT, 311 A, 1.75 V, 175 °C, Module
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FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM200GB12VCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante25 semanas
No. Parte Newark77R2562
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 25 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 12+ | $314.320 |
| 24+ | $305.940 |
| 36+ | $297.550 |
| 60+ | $289.170 |
| 120+ | $276.600 |
| 300+ | $271.070 |
| 600+ | $265.540 |
| 1200+ | $260.000 |
Precio para:Cada
Mínimo: 12
Múltiple: 12
$3,771.84
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM200GB12VCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante25 semanas
No. Parte Newark77R2562
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N Dual
Configuración IGBT-
Corriente del Colector Continua311A
Corriente de Colector DC311A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.75V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.75V
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Temperatura de Union, Tj Máx.175°C
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Diseño de TransistorModule
No. de Pines7Pines
Terminación del IGBTPerno
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBT-
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Resumen del producto
The SKM200GB12V is a SEMITRANS® 3 IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Copper Bonding) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- V-IGBT = 6th generation Trench V-IGBT (Fuji)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- Lowest switching losses at high di/dt
- UL recognized, file number E63532
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N Dual
Corriente del Colector Continua
311A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.75V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
175°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Configuración IGBT
-
Corriente de Colector DC
311A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.75V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Diseño de Transistor
Module
Terminación del IGBT
Perno
Tecnología IGBT
-
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SKM200GB12V
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto