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SKM800GA176D
Módulo IGBT, Sencillo, 830 A, 2 V, 150 °C, Module
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FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM800GA176D
No. Parte Newark15AC8660
Rango de ProductoSEMITRANS 4
Hoja de datos técnicos
6 En Stock
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3 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $603.090 |
| 5+ | $554.840 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM800GA176D
No. Parte Newark15AC8660
Rango de ProductoSEMITRANS 4
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTSingle
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua830A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor2V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia-
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.7kV
Tecnología IGBTIGBT 3 [Trench]
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoSEMITRANS 4
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Single
Corriente del Colector Continua
830A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.7kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Terminación del IGBT
Stud
Tecnología IGBT
IGBT 3 [Trench]
Rango de Producto
SEMITRANS 4
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