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GD200HFX65C8S
IGBT, HALF BRIDGE, 650V, 247A, MODULE
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FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD200HFX65C8SCopiar
No. Parte Newark84AH5722
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Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD200HFX65C8SCopiar
No. Parte Newark84AH5722
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente del Colector Continua247A
Corriente de Colector DC0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.45V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia612W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor650V
Tecnología IGBTTrench Field Stop
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
612W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650V
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente del Colector Continua
247A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.45V
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Terminación del IGBT
Stud
Tecnología IGBT
Trench Field Stop
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto