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GD200HFY120C2S
Módulo IGBT, Medio Puente, 309 A, 2 V, 1.006 kW, 150 °C, Module
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FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD200HFY120C2SCopiar
No. Parte Newark93AC7041
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $114.330 |
| 5+ | $112.050 |
| 10+ | $109.660 |
| 36+ | $108.470 |
| 60+ | $107.320 |
| 108+ | $102.630 |
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Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD200HFY120C2SCopiar
No. Parte Newark93AC7041
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Transistor, PolaridadCanal N Dual
Corriente de Colector DC309A
Corriente del Colector Continua309
Voltaje de Saturación Colector Emisor2
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2V
Disipación de Potencia Pd1.006kW
Disipación de Potencia1.006
Temperatura de Trabajo Máx.150
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
No. de Pines11Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Tecnología IGBTTrench Field Stop
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Alternativas para el número de pieza GD200HFY120C2S
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente de Colector DC
309A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2
Disipación de Potencia Pd
1.006kW
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Terminación del IGBT
Stud
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
Canal N Dual
Corriente del Colector Continua
309
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2V
Disipación de Potencia
1.006
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
No. de Pines
11Pines
Tecnología IGBT
Trench Field Stop
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto