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                      GD225HFY120C6S

                      Módulo IGBT, Medio Puente, 368 A, 2 V, 1.229 kW, 150 °C, Module

                      STARPOWER GD225HFY120C6S
                      La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
                      FabricanteSTARPOWER
                      No. Parte FabricanteGD225HFY120C6S
                      No. Parte Newark93AC7042
                      Hoja de datos técnicos

                      Data Sheet

                      Ver todos los documentos técnicos
                      Disponible para realizar pedido
                      Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semana(s)
                      CantidadPrecio en USD
                      1+$141.460
                      5+$138.900
                      10+$136.240
                      30+$134.900
                      50+$133.600
                      100+$128.350
                      Precio para:Cada
                      Mínimo: 1
                      Múltiple: 1
                      $141.46
                      Agregar número de pieza /nota de línea
                      Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
                      Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.

                      Información del producto

                      FabricanteSTARPOWER
                      No. Parte FabricanteGD225HFY120C6S
                      No. Parte Newark93AC7042
                      Hoja de datos técnicos

                      Data Sheet

                      Transistor, PolaridadCanal N Dual
                      Configuración IGBTMedio Puente
                      Corriente de Colector DC368A
                      Corriente del Colector Continua368
                      Voltaje de Saturación Colector Emisor2
                      Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2V
                      Disipación de Potencia Pd1.229kW
                      Disipación de Potencia1.229
                      Temperatura de Trabajo Máx.150
                      Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
                      Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
                      Diseño de TransistorModule
                      No. de Pines11Pines
                      Terminación del IGBTPerno
                      Tecnología IGBTParada de campo de zanja
                      Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
                      Montaje de TransistorPanel
                      Rango de Producto-
                      Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)

                      Resumen del producto

                      Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.

                      Especificaciones técnicas

                      Transistor, Polaridad

                      Canal N Dual

                      Corriente de Colector DC

                      368A

                      Voltaje de Saturación Colector Emisor

                      2

                      Disipación de Potencia Pd

                      1.229kW

                      Temperatura de Trabajo Máx.

                      150

                      Temperatura de Union, Tj Máx.

                      150°C

                      No. de Pines

                      11Pines

                      Tecnología IGBT

                      Parada de campo de zanja

                      Montaje de Transistor

                      Panel

                      Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

                      No SVHC (27-Jun-2018)

                      Configuración IGBT

                      Medio Puente

                      Corriente del Colector Continua

                      368

                      Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)

                      2V

                      Disipación de Potencia

                      1.229

                      Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo

                      1.2kV

                      Diseño de Transistor

                      Module

                      Terminación del IGBT

                      Perno

                      Voltaje Máx. Colector a Emisor

                      1.2

                      Rango de Producto

                      -

                      Documentos técnicos (1)

                      Technical Data Sheet EN

                      Legislación y medioambiente

                      US ECCN:EAR99
                      EU ECCN:Unknown
                      Conforme a RoHS:Sí

                      RoHS

                      Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí

                      RoHS

                      Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
                      Descargue el certificado de cumplimiento del producto

                      Certificado de conformidad del producto

                      Servicio al cliente
                      Necesito Ayuda
                      Ventas 01.800.463.9275
                      Soporte técnico 01.800.463.9275
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