Imprimir página
GD225HFY120C6S
Módulo IGBT, Medio Puente, 368 A, 2 V, 1.229 kW, 150 °C, Module
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semana(s)
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $141.460 |
5+ | $138.900 |
10+ | $136.240 |
30+ | $134.900 |
50+ | $133.600 |
100+ | $128.350 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$141.46
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD225HFY120C6S
No. Parte Newark93AC7042
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N Dual
Configuración IGBTMedio Puente
Corriente de Colector DC368A
Corriente del Colector Continua368
Voltaje de Saturación Colector Emisor2
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2V
Disipación de Potencia Pd1.229kW
Disipación de Potencia1.229
Temperatura de Trabajo Máx.150
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
No. de Pines11Pines
Terminación del IGBTPerno
Tecnología IGBTParada de campo de zanja
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Resumen del producto
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N Dual
Corriente de Colector DC
368A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2
Disipación de Potencia Pd
1.229kW
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
No. de Pines
11Pines
Tecnología IGBT
Parada de campo de zanja
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Configuración IGBT
Medio Puente
Corriente del Colector Continua
368
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2V
Disipación de Potencia
1.229
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Diseño de Transistor
Module
Terminación del IGBT
Perno
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto