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GD75HFX65C1S
Módulo IGBT, Medio Puente, 100 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Module
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $57.710 |
| 5+ | $55.590 |
| 10+ | $53.460 |
| 48+ | $51.280 |
| 72+ | $48.950 |
| 120+ | $48.250 |
| 264+ | $47.220 |
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Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD75HFX65C1S
No. Parte Newark25AK0634
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua100A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.45V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia258W
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor650V
Tecnología IGBTTrench
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente del Colector Continua
100A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.45V
Disipación de Potencia
258W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Stud
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650V
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Tecnología IGBT
Trench
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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