Imprimir página
MD300HFR120B3S
MOSFET MOD, 1.2KV, 381A, 150DEG C
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 29 semana(s)
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $1,033.100 |
5+ | $1,023.040 |
10+ | $1,013.290 |
36+ | $973.840 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1,033.10
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteMD300HFR120B3S
No. Parte Newark93AC7200
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Transistor, PolaridadCanal N Dual
Tipo de CanalDual N Channel
Intensidad Drenador Continua Id381
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.005ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5000µohm
Diseño de TransistorModule
No. de Pines-
Disipación de Potencia Pd-
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5000µohm
No. de Pines
-
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
-
Rango de Producto
-
Transistor, Polaridad
Canal N Dual
Intensidad Drenador Continua Id
381
Resistencia de Activación Rds(on)
0.005ohm
Diseño de Transistor
Module
Disipación de Potencia Pd
-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto