Imprimir página
BD679
Transistor Darlington, NPN, 80 V, 40 W, 4 A, SOT-32, 3 Pines
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
865 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.892 |
| 10+ | $0.642 |
| 100+ | $0.390 |
| 500+ | $0.311 |
| 1000+ | $0.284 |
| 2500+ | $0.263 |
| 10000+ | $0.225 |
Precio para:Cada
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$4.46
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteBD679
No. Parte Newark24M0737
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor80V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80
Corriente del Colector Continua4A
Frecuencia de Transición-
Disipación de Potencia Pd40
Corriente de Colector DC4
Disipación de Potencia40W
Encapsulado de Transistor RFSOT-32
No. de Pines3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE750
Diseño de TransistorSOT-32
Montaje de TransistorThrough Hole
Temperatura de Trabajo Máx.150
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.750hFE
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The BD679 is a 60V Silicon NPN Complementary Power Darlington Transistor manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration. Monolithic Darlington configuration with integrated anti parallel collector-emitter diode. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- Good hFE linearity
- High fT frequency
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80
Frecuencia de Transición
-
Corriente de Colector DC
4
Encapsulado de Transistor RF
SOT-32
Ganancia de Corriente DC hFE
750
Montaje de Transistor
Through Hole
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
750hFE
Calificación
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80V
Corriente del Colector Continua
4A
Disipación de Potencia Pd
40
Disipación de Potencia
40W
No. de Pines
3Pines
Diseño de Transistor
SOT-32
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BD679
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto