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PD57060-E
Transistor FET RF, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricantePD57060-E
No. Parte Newark07AH6877
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $64.120 |
| 5+ | $57.380 |
| 10+ | $50.620 |
| 25+ | $50.270 |
| 50+ | $49.900 |
| 100+ | $49.550 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricantePD57060-E
No. Parte Newark07AH6877
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds65
Intensidad Drenador Continua Id7
Disipación de Potencia79
Frecuencia de Funcionamiento Mín.-
Disipación de Potencia Pd0
Frecuencia de Funcionamiento Máx.1
Diseño de TransistorPowerSO-10RF
No. de Pines-
Encapsulado de Transistor RF0
Temperatura de Trabajo Máx.165
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
65
Disipación de Potencia
79
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
PowerSO-10RF
Encapsulado de Transistor RF
0
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Intensidad Drenador Continua Id
7
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
1
No. de Pines
-
Temperatura de Trabajo Máx.
165
Montaje de Transistor
Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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