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SCT1000N170
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 7 A, 1.7 kV, 1 ohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT1000N170
No. Parte Newark36AJ4506
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $11.090 |
| 10+ | $9.110 |
| 25+ | $8.540 |
| 50+ | $7.970 |
| 100+ | $7.400 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT1000N170
No. Parte Newark36AJ4506
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id7A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7kV
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1ohm
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia96W
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
7A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
96W
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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