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SCTL90N65G2V
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTL90N65G2V
No. Parte Newark40AJ8413
Hoja de datos técnicos
1,854 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $43.770 |
| 10+ | $40.820 |
| 25+ | $40.040 |
| 50+ | $38.510 |
| 100+ | $37.230 |
| 250+ | $36.470 |
| 500+ | $35.910 |
| 1000+ | $35.530 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTL90N65G2V
No. Parte Newark40AJ8413
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id40
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerFLAT
No. de Pines5Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.2
Disipación de Potencia935
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
SCTL90N65G2V is a silicon carbide power MOSFET. This silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature. Typical applications are switching mode power supply, DC-DC converters, and industrial motor control.
- Very fast and robust intrinsic body diode, low capacitances
- Source sensing pin for increased efficiency
- Drain-source breakdown voltage is 650V minimum at VGS = 0V, ID = 1mA
- Static drain-source on-resistance is 24mohm max at VGS = 18V, ID = 40A
- Drain current (continuous) at TC = 25°C is 40A
- Input capacitance is 3380pF typical at VDS = 400V, f = 1MHz, VGS = 0V
- Rise time is 38ns typ at VDD = 400V, ID = 50A, RG = 2.2ohm, VGS = -5V to 18V
- PowerFLAT 8x8 HV package
- Operating junction temperature range from -55 to 175°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
5Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.2
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018
Diseño de Transistor
PowerFLAT
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
935
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto