Imprimir página
STD100N10F7
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD100N10F7
No. Parte Newark98Y2468
Rango de ProductoDeepGATE STripFET VII
Hoja de datos técnicos
Opciones de embalaje
25 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.390 |
| 10+ | $1.940 |
| 25+ | $1.870 |
| 50+ | $1.800 |
| 100+ | $1.730 |
| 250+ | $1.660 |
| 500+ | $1.570 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.39
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD100N10F7
No. Parte Newark98Y2468
Rango de ProductoDeepGATE STripFET VII
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6800µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0068ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia120
Disipación de Potencia Pd120W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoDeepGATE STripFET VII
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza STD100N10F7
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia STripFET™ F7 de canal N de 100V y 80A en paquete DPAK de 3 pines
- Entre los RDS (activado) más bajos del mercado
- Excelente FoM (figura de mérito)
- Relación Crss/Ciss baja para inmunidad a EMI
- Gran rugosidad ante avalanchas
- Apto para aplicaciones de conmutación
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6800µohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
120
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
DeepGATE STripFET VII
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
80
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0068ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia Pd
120W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto