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STD1NK80ZT4
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 1 A, 16 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD1NK80ZT4
No. Parte Newark33R1143
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.450 |
| 10+ | $1.100 |
| 25+ | $1.060 |
| 50+ | $0.951 |
| 100+ | $0.813 |
| 250+ | $0.711 |
| 500+ | $0.572 |
| 1000+ | $0.542 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD1NK80ZT4
No. Parte Newark33R1143
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente16ohm
Resistencia de Activación Rds(on)13ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia45
Disipación de Potencia Pd45W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza STD1NK80ZT4
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
- MOSFET SuperMESH™ de 800 V y 1 A con protección Zener de canal N en paquete DPAK de 3 pines
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Capacidad ESD mejorada
- Probado avalancha 100%
- Nuevo punto de referencia de alta tensión
- Carga de puerta minimizada
- Optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST
- Adecuado para adaptadores de CA, cargadores de batería y SMPS
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
16ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
45
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1
Resistencia de Activación Rds(on)
13ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
Disipación de Potencia Pd
45W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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