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STD65N55F3
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 32 A, 6.5 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD65N55F3
No. Parte Newark33R1174
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 1+ | $3.470 |
| 10+ | $2.750 |
| 25+ | $2.570 |
| 50+ | $2.390 |
| 100+ | $2.210 |
| 250+ | $2.100 |
| 500+ | $1.980 |
| 1000+ | $1.880 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD65N55F3
No. Parte Newark33R1174
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id32A
Resistencia de Activación Rds(on)6.5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6.5ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd110W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia110W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STD65N55F3 es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N STripFET™ diseñado con el último refinamiento del proceso único basado en tiras Single Feature Size™. El proceso redujo los pasos críticos de alineación, ofreciendo una notable reproducibilidad de fabricación. El resultado es un transistor con una densidad de empaquetamiento extremadamente alta para una resistencia ON baja, características de avalancha robustas y carga de compuerta baja.
- Unidad de umbral estándar
- 100% prueba de avalancha
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
32A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6.5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
110W
Disipación de Potencia
110W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia de Activación Rds(on)
6.5ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD65N55F3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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