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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $28.600 |
10+ | $23.480 |
25+ | $22.700 |
50+ | $22.240 |
100+ | $22.040 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGSH50M120D
No. Parte Newark22AM0480
Configuración IGBTDual [Half Bridge]
Corriente del Colector Continua69A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.8V
Disipación de Potencia536W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Diseño de TransistorACEPACK SMIT
Terminación del IGBTSolder
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTTrench Field Stop
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Dual [Half Bridge]
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.8V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Terminación del IGBT
Solder
Tecnología IGBT
Trench Field Stop
Rango de Producto
-
Corriente del Colector Continua
69A
Disipación de Potencia
536W
Diseño de Transistor
ACEPACK SMIT
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Surface Mount
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto