Imprimir página
STN1HNK60
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTN1HNK60
No. Parte Newark33R1234
Hoja de datos técnicos
Opciones de embalaje
11,778 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.070 |
| 10+ | $0.861 |
| 25+ | $0.748 |
| 50+ | $0.654 |
| 100+ | $0.555 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$5.35
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTN1HNK60
No. Parte Newark33R1234
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id500
Resistencia de Activación Rds(on)8ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8.5ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd3.3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia3.3
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STN1HNK60 es un MOSFET SuperMESH™ de canal N de 600V con una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido. Además de reducir significativamente la resistencia, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes. Carga de compuerta mejorada y menor disipación de energía para cumplir con los exigentes requisitos de eficiencia actuales.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Capacidad ESD mejorada
- 100% prueba de avalancha
- Nuevo punto de referencia de alta tensión
- Carga de puerta minimizada
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8.5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
3.3W
Disipación de Potencia
3.3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
8ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STN1HNK60
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto