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STP12NM50.
MOSFET de Potencia, Canal N, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP12NM50.
No. Parte Newark28AC3431
Rango de ProductoSerie STP
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP12NM50.
No. Parte Newark28AC3431
Rango de ProductoSerie STP
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds550V
Intensidad Drenador Continua Id12A
Resistencia de Activación Rds(on)0.35ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.35ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd160W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Diseño de TransistorTO-220
Disipación de Potencia160W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de ProductoSerie STP
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The STP12NM50 is a 500V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing proprietary strip technique, MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- High dv/dt and avalanche capabilities
- Low input capacitance and gate charge
- 100% Avalanche tested
- Low gate input resistance
- Tight process control and high manufacturing yields
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
550V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.35ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
TO-220
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
12A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.35ohm
Disipación de Potencia Pd
160W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
160W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
Serie STP
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto