Imprimir página
STP150N10F7
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 110 A, 0.0036 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP150N10F7
No. Parte Newark45AC7696
Rango de ProductoSTripFET F7
Hoja de datos técnicos
1 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.420 |
| 10+ | $2.350 |
| 25+ | $2.350 |
| 50+ | $2.330 |
| 100+ | $2.330 |
| 250+ | $2.170 |
| 500+ | $2.000 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.42
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP150N10F7
No. Parte Newark45AC7696
Rango de ProductoSTripFET F7
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id110
Resistencia de Activación Rds(on)0.0036ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3600µohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd250W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia250
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoSTripFET F7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para el número de pieza STP150N10F7
3 productos encontrados
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0036ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
250W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STripFET F7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
110
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3600µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
250
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto