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STP45N65M5
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP45N65M5
No. Parte Newark01X0056
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.940 |
| 10+ | $5.940 |
| 25+ | $5.030 |
| 50+ | $4.670 |
| 100+ | $4.670 |
| 250+ | $4.360 |
| 500+ | $4.270 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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$5.94
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP45N65M5
No. Parte Newark01X0056
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id35
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.067
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia210
Disipación de Potencia Pd0
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The STP45N65M5 is a 650V N-channel MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The MOSFET has extremely low on resistance, which is unmatched among silicon based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Worldwide best RDS (on)
- Higher VDSS rating and high dv/dt capability
- Excellent switching performance
- 100% Avalanche tested
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
210
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
35
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.067
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto