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STP9NK60ZFP
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 7 A, 0.95 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP9NK60ZFP
No. Parte Newark26M3717
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.240 |
| 10+ | $1.160 |
| 100+ | $1.150 |
| 500+ | $1.140 |
| 1000+ | $1.120 |
| 2500+ | $1.110 |
| 10000+ | $1.070 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP9NK60ZFP
No. Parte Newark26M3717
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id7A
Resistencia de Activación Rds(on)0.95ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.95ohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd30W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia30W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STP9NK60ZFP es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ que ofrece protección Zener y carga de puerta minimizada. Este MOSFET de Potencia desarrollado utilizando la tecnología SuperMESH™ de STMicroelectronics, se logró a través de la optimización del bien establecido diseño de PowerMESH™ basado en tiras de ST. Además de una reducción significativa en la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad de dV/dt para las aplicaciones más exigentes.
- Capacidad ESD mejorada
- 100% prueba de avalancha
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.95ohm
Diseño de Transistor
TO-220FP
Disipación de Potencia Pd
30W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.95ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
30W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STP9NK60ZFP
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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