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STPSC12065D
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 12 A, 36 nC, TO-220AC
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTPSC12065D
No. Parte Newark69AH2804
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 23 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.200 |
| 10+ | $3.410 |
| 25+ | $3.260 |
| 50+ | $3.120 |
| 100+ | $2.980 |
| 250+ | $2.970 |
| 500+ | $2.720 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$5.20
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTPSC12065D
No. Parte Newark69AH2804
Hoja de datos técnicos
Rango de Producto-
Configuración de DiodoSingle
Voltaje Reverso Pico Repetitivo650
Corriente Directa Promedio12
Carga Capacitiva Total36
Estilo de la Carcasa del DiodoTO-220AC
No. de Pines2 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje del DiodoThrough Hole
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
STPSC12065D is a 650V, 12A power Schottky silicon carbide diode in a 2 pin TO-220AC package. The SiC diode is an ultra high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature. It is used in DC/DC converter, high frequency inverter, snubber and boost PFC function.
- Forward voltage drop of 1.30V at IF = 12A
- Maximum operating junction temperature of 175°C
- No or negligible reverse recovery
- Switching behaviour independent of temperature
- High forward surge capability
- D²PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38mm min
- ECOPACK2 compliant
- Power efficient
Especificaciones técnicas
Rango de Producto
-
Voltaje Reverso Pico Repetitivo
650
Carga Capacitiva Total
36
No. de Pines
2 Pin
Montaje del Diodo
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuración de Diodo
Single
Corriente Directa Promedio
12
Estilo de la Carcasa del Diodo
TO-220AC
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto