Imprimir página
STW12NK90Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 900 V, 11 A, 0.72 ohm, TO-247, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW12NK90Z
No. Parte Newark34X2882
Hoja de datos técnicos
1,597 En Stock
¿Necesita más?
311 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
1286 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.520 |
| 10+ | $2.520 |
| 25+ | $2.510 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.52
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW12NK90Z
No. Parte Newark34X2882
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900V
Intensidad Drenador Continua Id11A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.72ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.72ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia230W
Disipación de Potencia Pd230W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia SuperMESH™ de 900V y 11A con protección zener de canal N en paquete TO-247 de 3 pines
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Probado avalancha 100%
- Carga de puerta minimizada
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
- Apto para aplicaciones de conmutación
- Optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.72ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
230W
Núm. de Contactos
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
11A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.72ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
Disipación de Potencia Pd
230W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STW12NK90Z
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto