Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW12NK90ZCopiar
No. Parte Newark34X2882
Su número de pieza
279 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 6 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.290 |
| 10+ | $4.330 |
| 25+ | $3.930 |
| 60+ | $3.510 |
| 120+ | $3.110 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$7.29
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTW12NK90ZCopiar
No. Parte Newark34X2882
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900V
Intensidad Drenador Continua Id11A
Resistencia de Activación Rds(on)0.72ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.88ohm
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia Pd230W
Disipación de Potencia230W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia SuperMESH™ de 900V y 11A con protección zener de canal N en paquete TO-247 de 3 pines
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Probado avalancha 100%
- Carga de puerta minimizada
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
- Apto para aplicaciones de conmutación
- Optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.72ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
230W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
11A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.88ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
Disipación de Potencia
230W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza STW12NK90Z
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
