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VNN1NV04PTR-E
MOSFET de Potencia, Canal N, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteVNN1NV04PTR-E
No. Parte Newark06X1145
Hoja de datos técnicos
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|---|---|
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| 10+ | $0.575 |
| 25+ | $0.527 |
| 50+ | $0.527 |
| 100+ | $0.527 |
| 250+ | $0.487 |
| 500+ | $0.486 |
| 1000+ | $0.486 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteVNN1NV04PTR-E
No. Parte Newark06X1145
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds45
Intensidad Drenador Continua Id1.7
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.25
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente500
Disipación de Potencia7
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.-
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The VNN1NV04PTR-E is a 45V Fully Auto Protected Power MOSFET designed in VIPower M0 technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
- Linear current limitation
- Thermal shutdown
- Short-circuit protection
- Integrated clamp
- Low current drawn from input pin
- Diagnostic feedback through input pin
- ESD protection
- Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
- Compatible with standard power MOSFET
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
45
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
500
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.25
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Disipación de Potencia
7
Temperatura de Trabajo Máx.
-
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza VNN1NV04PTR-E
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto