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VNN1NV04PTR-E
MOSFET Transistor, N Channel, 1.7 A, 45 V, 0.25 ohm, 5 V, 500 mV RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteVNN1NV04PTR-E
No. Parte Newark07X1990
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1000+ | $0.555 |
| 2000+ | $0.554 |
| 4000+ | $0.554 |
| 6000+ | $0.552 |
| 10000+ | $0.551 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteVNN1NV04PTR-E
No. Parte Newark07X1990
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds45V
Intensidad Drenador Continua Id1.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.25ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente500mV
Disipación de Potencia7W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.-
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
45V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.25ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Disipación de Potencia
7W
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.7A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
500mV
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
-
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza VNN1NV04PTR-E
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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