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SSM6N55NU,LF(T
MOSFET Dual, Doble Canal N, 30 V, 4 A, 0.046 ohm
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.534 |
| 10+ | $0.414 |
| 25+ | $0.347 |
| 50+ | $0.293 |
| 100+ | $0.249 |
| 250+ | $0.214 |
| 500+ | $0.178 |
| 1000+ | $0.152 |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteSSM6N55NU,LF(T
No. Parte Newark03AM3064
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalDoble Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.046
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-1118
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Doble Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.046
Diseño de Transistor
SOT-1118
Disipación de Potencia de Canal N
1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto