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TK31V60X,LQ(S
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTK31V60X,LQ(S
No. Parte Newark09AK8690
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id30.8
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.078
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia240
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
DFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
30.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.078
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
Disipación de Potencia
240
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto