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TPH1R712MD,L1Q(M
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 60 A, 0.0017 ohm, SOP, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPH1R712MD,L1Q(M
No. Parte Newark08AK7545
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1700µohm
Diseño de TransistorSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia78
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
78
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1700µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza TPH1R712MD,L1Q(M
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto