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TPN3300ANH,LQ(S
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 9.4 A, 33 mohm, TSON, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTPN3300ANH,LQ(S
No. Parte Newark09AK9000
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id9.4
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente33
Diseño de TransistorTSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia27
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
9.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
33
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
27
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza TPN3300ANH,LQ(S
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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