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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTTA1943
No. Parte Newark55T7375
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor230V
Corriente del Colector Continua15A
Disipación de Potencia150W
Frecuencia de Transición30MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.80hFE
Diseño de TransistorTO-3PL
No. de Pines3Pines
Montaje de TransistorThrough Hole
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Resumen del producto
El TTA1943 de Toshiba es un transistor epitaxial de silicio PNP de orificio pasante en encapsulado TO-3. Este dispositivo se utiliza comúnmente para amplificación de potencia.
- El voltaje de colector a emisor (Vce) es de -230V
- La corriente de colector (Ic) es de -15A
- Disipación de energía (Pd) de 150W
- Voltaje de saturación de colector a emisor de -3V a -8A de corriente de colector
- Ganancia de corriente CC (hFE) de 80 con corriente de colector de -1A
- Rango de temperatura de unión de 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Corriente del Colector Continua
15A
Frecuencia de Transición
30MHz
Diseño de Transistor
TO-3PL
Montaje de Transistor
Through Hole
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
230V
Disipación de Potencia
150W
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
80hFE
No. de Pines
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto