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IRF830PBF-BE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF830PBF-BE3
No. Parte Newark78AH6384
Rango de ProductoIRF830 Series
Hoja de datos técnicos
920 En Stock
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF830PBF-BE3
No. Parte Newark78AH6384
Rango de ProductoIRF830 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id4.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.5
Resistencia de Activación Rds(on)1.5ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd74W
Disipación de Potencia74
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoIRF830 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
Notas
El sufijo BE3 indica producción fuera de China, no sujeta a aranceles de importación de EE. UU.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.5
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
74W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
IRF830 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
4.5
Resistencia de Activación Rds(on)
1.5ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
74
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
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