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IRFB9N65APBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 8.5 A, 0.93 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFB9N65APBF
No. Parte Newark56AJ9864
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id8.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.93ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia167W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.93ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
167W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
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