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IRFSL9N60APBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-262, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFSL9N60APBF
No. Parte Newark63J7029
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id9.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.75ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.75
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd170W
Diseño de TransistorTO-262
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia170
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0.75ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
170W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
9.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.75
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-262
Disipación de Potencia
170
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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